Definición de transistor bipolar de puerta aislada

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor de potencia compuesto totalmente controlado y accionado por voltaje-que combina las ventajas de MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor-de óxido de metal-metálico-) y BJT (transistor de unión bipolar).

 

Puntos de definición centrales
Composición de la estructura: compuesta por la alta impedancia de entrada y las características impulsadas por voltaje-de un MOSFET combinadas con la baja caída de voltaje de conducción y la alta capacidad de transporte de corriente de un BJT.

Principio de funcionamiento: al aplicar voltaje a la puerta para controlar la formación del canal, proporciona corriente de base al transistor PNP, logrando encenderlo o apagarlo-.

Estructura de terminales: tiene tres terminales: -Puerta (G), Colector (C) y Emisor (E).

 

Principales ventajas:
Alta impedancia de entrada (como MOSFET, baja potencia de conducción)
Baja caída de voltaje de conducción (como BJT, baja pérdida de conducción)
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y frecuencia media-alta