Características básicas del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Principales características eléctricas

Alta impedancia de entrada: hereda las características de MOSFET, requiere baja potencia de conducción y tiene un circuito de conducción simple.

 

Baja caída de voltaje de conducción: utiliza el efecto de modulación de conductividad; El voltaje de saturación en estado encendido-(Vce(sat)) es mucho más bajo que el de los MOSFET con la misma tensión nominal, normalmente de 1,5 a 3 V.

 

Alto voltaje y gran capacidad de corriente: Adecuado para niveles de voltaje de 600 V a 6500 V, con corriente que alcanza más de 10 A a 1800 A.

 

Frecuencia de conmutación moderada: el rango de frecuencia de funcionamiento suele ser de decenas de kHz (como 10 a 100 kHz), más alto que BJT pero más bajo que MOSFET.

 

Coeficiente de temperatura positivo: bajo corriente nominal, Vce(sat) aumenta ligeramente con la temperatura, lo cual es beneficioso para compartir corriente cuando se usa en paralelo.