Definición de transistor bipolar de puerta aislada

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor de potencia compuesto totalmente controlado y accionado por voltaje-que combina las ventajas de MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor-de óxido de metal-metálico-) y BJT (transistor de unión bipolar).

 

Puntos de definición centrales
Composición de la estructura: combina la alta impedancia de entrada y las características impulsadas por el voltaje-de un MOSFET con la baja caída de voltaje de conducción y la alta capacidad de transporte de corriente-de un BJT.

 

Principio de funcionamiento: al aplicar voltaje a la puerta para controlar la formación del canal, proporciona corriente de base al transistor PNP, logrando encenderlo o apagarlo-.

 

Estructura terminal: Tiene tres electrodos - Puerta (G), Colector (C) y Emisor (E).

 

Principales ventajas
Alta impedancia de entrada (similar a MOSFET, baja potencia de conducción)

Baja caída de voltaje de conducción (similar a BJT, baja pérdida de conducción)

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje, alta corriente y frecuencia media a alta-