Consejos de uso del transistor bipolar de puerta aislada
Mar 17, 2026
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El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo de conmutación controlado por voltaje-ampliamente utilizado en sistemas electrónicos de potencia- a alta-, que combina las ventajas de la alta impedancia de entrada y el accionamiento simple de los MOSFET con la baja caída de voltaje de conducción y la alta capacidad de transporte de corriente- de los BJT.
Puntos de uso básicos
Requisitos de voltaje de conducción
Los IGBT son dispositivos controlados por voltaje-. Se debe aplicar un voltaje de +12V a +18V (valor típico) entre la puerta y el emisor para encenderlo; para apagar-, se puede aplicar 0 V o voltaje negativo (como -5 V a -15 V) para mejorar la capacidad antiinterferencias y acelerar el apagado.
El voltaje de accionamiento de la puerta no debe exceder los ±20 V, de lo contrario la capa de óxido de la puerta podría dañarse.
Selección de clasificación de corriente y voltaje
Los IGBT pueden manejar corrientes de varios cientos de amperios (por ejemplo, más de 500 A) y voltajes de varios miles de voltios. Al seleccionar, se debe dejar un margen del 20% al 30% para evitar daños por sobretensión o sobrecorriente.
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